碳化硅在半導體領(lǐng)域(SiC)它是一種備受關(guān)注的材料，因其優(yōu)異的高溫和低溫工作性能而備受尊敬。碳化硅作為一種寬禁帶半導體，可以在高溫和低溫環(huán)境下保持良好的電氣性能，在許多領(lǐng)域具有廣闊的應用前景。

溫度變化會影響碳化硅片的物理、化學和電學性能，高溫下其會熱膨脹、硬度及機械性能改變、化學反應活性增強、原子擴散加快、載流子遷移率變化，低溫時會收縮、變脆，在不同溫區(qū)還會因環(huán)境因素引發(fā)如吸附水汽、影響電學性能等各類相關(guān)情況。

Impac IS 50-Si-LO plus測溫儀采用特殊波長，適用于硅片的測量，測溫范圍400-1600 °C，該儀器配備了一根光纖以及一個可更換的光纖測頭，不受電磁干擾（如：感應）的影響，耐溫可高達250 °C。
根據(jù)不同的測量距離，有兩個不同的測頭可供選擇，可實現(xiàn)小的光斑尺寸。激光靶光可以用來瞄準測量物體。